| 玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究 |
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| 引用本文： | 王文彦,秦福文,吴爱民,宋世巍,李瑞,姜辛,徐茵,顾彪.玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究[J].半导体技术,2008,33(10). |
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| 作者姓名： | 王文彦 秦福文 吴爱民 宋世巍 李瑞 姜辛 徐茵 顾彪 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 摘 要： | 采用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化.结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的C轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电.
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| 关 键 词： | 电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积 氮化镓 低温沉积 玻璃衬底 |
Study on Low-Temperature Deposition of GaN Films on Glass Substrate |
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| Wang Wenyan,Qin Fuwen,Wu Aimin,Song Shiwei,Li Rui,Jiang Xin,Xu Yin,Gu Biao.Study on Low-Temperature Deposition of GaN Films on Glass Substrate[J].Semiconductor Technology,2008,33(10). |
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| Authors: | Wang Wenyan Qin Fuwen Wu Aimin Song Shiwei Li Rui Jiang Xin Xu Yin Gu Biao |
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| Affiliation: | Wang Wenyan,Qin Fuwen,Wu Aimin,Song Shiwei,Li Rui,Jiang Xin,Xu Yin,Gu Biao (State Key Laboratory for Materials by Laser,Ion , Electron Beams,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ECR-PEMOCVD GaN low-temperature deposition glass substrate |
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