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| 八毫米GaAs梁式引线肖特基势垒混频管 | |
| 作者姓名： | 王良臣 方浦明 郑东 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京 (王良臣,方浦明),中国科学院半导体研究所 北京(郑东) |
| 摘 要： | 基于Pucel平面电容器模型和Berger平面电阻器的传输线模型(TLM),借助CAD技术,优化设计了平面型八毫米粱式引线混频管的几何参数,确定了关系到器件性能的几个关键尺寸 L_g、W_g、L_o和 L_b对总电容和串联电阻的影响.采用了类似于GaAs MESFET的制作工艺,并严格控制器件的几何参数.研制的八毫米混频管,典型结果是,在35GHz下,单管双边带噪声系数为4.8dB. |
| 关 键 词： | 梁式引线混频管 平面电容器 平面电阻器 传输线模型 |
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