| 碳化硅混合PiN/Schottky二极管的二维模拟 |
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| 引用本文： | 牛新军,张玉明,张义门,吕红亮. 碳化硅混合PiN/Schottky二极管的二维模拟[J]. 半导体学报, 2002, 23(5): 517-522. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.05.015 |
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| 作者姓名： | 牛新军 张玉明 张义门 吕红亮 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 摘 要： | 利用模拟软件MEDICI对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟.输运机理的模拟结果表明MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用,而反向时PN结使漏电流大大减小.伏安特性的模拟结果表明MPS的正向压降小,电流密度大,在2V正向偏压下达10-5A/μm,反向漏电流小,击穿电压高(2000V左右),可以通过改变肖特基和PN结的面积比来调整MPS的性能,与硅MPS、碳化硅PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势,是理想的功率整流器.
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| 关 键 词： | 碳化硅 MPS 二维模拟 MEDICI 输运机理 伏安特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)05-0517-06 |
| 修稿时间： | 2001-07-31 |
Two-Dimensional Simulation of SiC Merged PiN/Schottky Diodes |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide MPS two-dimensional simulatio n MEDICI transport mechanics I-V characteristics |
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