| 用于LDO稳压器的CMOS基准电压源的设计 |
| |
| 引用本文： | 林双喜.用于LDO稳压器的CMOS基准电压源的设计[J].电子科技,2007(7):9-11. |
| |
| 作者姓名： | 林双喜 |
| |
| 作者单位： | 武汉工程大学,电气信息学院,湖北,武汉,430074 |
| |
| 摘 要： | LDO稳压器对其中的基准电压电路较高精度要求和较低静态电流要求是一对矛盾,本文折衷设计了一款简单实用的CMOS电压基准电路。仿真结果显示,基准电路静态电流约为35μA,基准电压的温度系数为±15×10~(-6)/℃;低频时电源抑制比为63 dB,电压调整率为0．005。
|
| 关 键 词： | LDO稳压器 基准电压 温度系数 电源抑制比 电压调整率 |
| 收稿时间： | 2007-02-05 |
| 修稿时间： | 2007-02-05 |
Design of CMOS Voltage Reference for Low Dropout Regulator |
| |
| Lin Shuangxi.Design of CMOS Voltage Reference for Low Dropout Regulator[J].Electronic Science and Technology,2007(7):9-11. |
| |
| Authors: | Lin Shuangxi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LDO regulator voltage reference temperature coefficient power supply reject ratio voltage regulation |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
