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| 利用电沉积Ni纳米晶制备无缠绕阵列碳纳米管 | |
| 引用本文： | 鲍桥梁,冉祥,张晗,祁祥,傅强,潘春旭. 利用电沉积Ni纳米晶制备无缠绕阵列碳纳米管[J]. 新型炭材料, 2008, 23(1): 44-50 |
| 作者姓名： | 鲍桥梁 冉祥 张晗 祁祥 傅强 潘春旭 |
| 作者单位： | 1. 武汉大学,物理科学与技术学院,武汉,430072 2. 武汉大学,物理科学与技术学院,武汉,430072;武汉大学,声光材料与器件教育部重点实验室,武汉,430072 3. 武汉大学,物理科学与技术学院,武汉,430072;武汉大学,声光材料与器件教育部重点实验室,武汉,430072;武汉大学,电子显微镜中心,武汉,430072 |
| 基金项目： | 教育部全国优秀博士学位论文作者专项基金 , 教育部高等学校博士学科点专项科研基金 |
| 摘 要： | 以金属Cu基板上脉冲电沉积Ni纳米晶薄膜作为催化剂,在乙醇火焰中制备了直立、无缠绕阵列碳纳米管.利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)和激光拉曼谱仪(Raman)对不同工艺制备的Ni纳米晶薄膜和阵列碳纳米管的形貌进行了表征.结果表明:通过综合控制脉冲电沉积参数、电沉积时间和火焰中的合成时间,可以获得大面积、密集、均匀、直立、无缠绕、形态良好、重复性高的阵列碳纳米管.脉冲电沉积Ni纳米晶和合成无缠绕阵列碳纳米管的最佳工艺条件是:脉冲电沉积正、负脉冲的工作频率为154Hz、占空比为38.5%、电沉积时间为1min、基板预热至600℃、火焰中停留1min.通过对生长机理的研究发现:当电沉积时间较短时,获得的Ni纳米晶薄膜较薄,具有较高的局域粗糙程度和催化活性,有利于碳纳米管的同时大面积"拥挤生长"形成阵列结构;另外,通过调整脉冲电沉积参数,可以控制Ni纳米晶的大小,从而控制碳纳米管的长径比,当长径比较小时即可获得无缠绕的阵列碳纳米管. |
| 关 键 词： | 脉冲电沉积 纳米晶 碳纳米管 利用 电沉积 纳米晶 阵列碳纳米管 substrate Ni nanocrystalline pulse carbon nanotubes 比较 长径比 大小 控制 整脉冲 阵列结构 生长机理 催化活性 粗糙程度 发现 研究 预热 |
| 文章编号： | 1007-8827（2008）01-0044-07 |
| 收稿时间： | 2007-12-01 |
| 修稿时间： | 2008-01-17 |
Synthesis of well-aligned non-tangled carbon nanotubes on a pulse electro-deposited Ni nanocrystalline substrate |
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| BAO Qiao-liang,RAN Xiang,ZHANG Han,QI Xiang,FU Qiang,PAN Chun-xu. Synthesis of well-aligned non-tangled carbon nanotubes on a pulse electro-deposited Ni nanocrystalline substrate[J]. New Carbon Materials, 2008, 23(1): 44-50 | |
| Authors: | BAO Qiao-liang RAN Xiang ZHANG Han QI Xiang FU Qiang PAN Chun-xu |
| Abstract: | |
| Keywords: | Pulse electro-deposition Nanocrystalline Carbon nanotube |
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