| MBE InGaAs/GaAs量子点及其红外吸收波长调制 |
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| 引用本文： | 孔梅影,曾一平,李晋闽. MBE InGaAs/GaAs量子点及其红外吸收波长调制[J]. 半导体学报, 2003, 24(z1): 78-80 |
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| 作者姓名： | 孔梅影 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,新材料部,北京,100083 |
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| 摘 要： | 利用分子束外延枝术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过改变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,用于研制8～12μm大气窗口的红外探测器.观测发现随着量子点超晶格结构的InGaAs层厚度增加,其红外吸收峰蓝移,用量子点间的耦合作用随InGaAs层的厚度的增加而增强的观点对其机理给予解释.
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| 关 键 词： | 分子束外延 量子点 InGaAs/GaAs 红外吸收 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)0-0078-03 |
| 修稿时间： | 2002-09-16 |
Tuning of Infrared Absorption Wavelength of MBE InGaAs/GaAs Quantum Dots |
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