| GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性 |
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| 引用本文： | 周飞跃,杜江锋,于奇,靳翀,罗谦,杨谟华. GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性[J]. 半导体光电, 2006, 27(4): 383-386 |
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| 作者姓名： | 周飞跃 杜江锋 于奇 靳翀 罗谦 杨谟华 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 在求解一维电流连续性方程和传输方程的同时考虑表面态陷阱的作用,获得了GaN基MSM结构紫外探测器在稳态光照下的电流随电压变化的解析解,从而导出了其光响应特性主要参数,并解释了电流和响应度随偏压变化的原因和光增益现象.将该模型应用于具体器件,实验测得饱和临界偏压约6 V,稳态电流6×10-8A,响应率0.085 7 A/W,与理论计算较吻合.
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| 关 键 词： | GaN MSM结构 紫外探测器 光电流 表面态 陷阱 |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)04-0383-04 |
| 收稿时间： | 2005-10-31 |
| 修稿时间： | 2005-10-31 |
Photo-response in GaN-based MSM UV Detectors |
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| ZHOU Fei-yue,DU Jiang-feng,YU Qi,JING Chong,LUO Qian,YANG Mo-hua. Photo-response in GaN-based MSM UV Detectors[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2006, 27(4): 383-386 |
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| Authors: | ZHOU Fei-yue DU Jiang-feng YU Qi JING Chong LUO Qian YANG Mo-hua |
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| Keywords: | GaN msm structure UV detector photocurrent surface state trap |
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