| 基于Hefner模型的SPT+型IGBT改进通态数学模型 |
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| 引用本文： | 孙志宇,魏晓光,赵志斌,周万迪. 基于Hefner模型的SPT+型IGBT改进通态数学模型[J]. 电子学报, 2021, 49(3): 492-499. DOI: 10.12263/DZXB.20200117 |
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| 作者姓名： | 孙志宇 魏晓光 赵志斌 周万迪 |
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| 作者单位： | 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,北京 102206;全球能源互联网研究院有限公司,北京 102209 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会-国家电网公司智能电网联合基金资助 |
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| 摘 要： | 新一代增强平面栅软穿通型(Soft Punch Through+,SPT+)IGBT采用了阴极侧载流子浓度增强技术,降低了通态损耗.现有仿真模型大多是基于典型穿通型(Punch Through,PT)IGBT建立的,无法准确描述SPT+型IG-BT的通态特性.本文在现有PT模型的基础上,结合SPT+型IGBT的结构特点和工作特性,将基区分为PIN区和PNP区两个部分,对阴极侧载流子分布进行优化,提出一种改进的SPT+型IGBT稳态模型.通过新旧模型的仿真波形与实测波形的对比,验证了改进模型的准确性.
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 SPT+ 载流子存储层 通态数学模型 |
An I mproved On-State Analytical Model for the SPT +IGBT Based on Hefner Model |
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| SUN Zhi-yu,WEI Xiao-guang,ZHAO Zhi-bin,ZHOU Wan-di. An I mproved On-State Analytical Model for the SPT +IGBT Based on Hefner Model[J]. Acta Electronica Sinica, 2021, 49(3): 492-499. DOI: 10.12263/DZXB.20200117 |
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| Authors: | SUN Zhi-yu WEI Xiao-guang ZHAO Zhi-bin ZHOU Wan-di |
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