| 基于门极电压调制的大功率IGBT过压尖峰抑制 |
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| 引用本文： | 冯源,陈昕,宋明轩,张甜. 基于门极电压调制的大功率IGBT过压尖峰抑制[J]. 电力电子技术, 2021, 55(11): 137-140. DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.11.035 |
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| 作者姓名： | 冯源 陈昕 宋明轩 张甜 |
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| 作者单位： | 中国矿业大学,电气与动力工程学院,江苏徐州221000;绍兴柯桥轨道交通集团有限公司,浙江绍兴312000 |
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| 摘 要： | 随着现代电力电子技术的不断发展,功率半导体器件的开关速度和功率等级都在进一步提高,其开关电压尖峰成为功率器件在发展过程中必须解决的问题.此处提出一种脉宽调制(PWM)脉冲预调制技术,在驱动电路中增加数字控制模块,根据负载电流的变化及时改变PWM策略,有效抑制关断电压尖峰,使驱动电路更具有通用性.通过实验验证该方法的可行性和实用性.
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 脉宽调制 关断电压尖峰 |
High-power IGBT Overvoltage Spike Suppression Based on Gate Voltage Modulation |
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| FENG Yuan,CHEN Xin,SONG Ming-xuan,ZHANG Tian. High-power IGBT Overvoltage Spike Suppression Based on Gate Voltage Modulation[J]. Power Electronics, 2021, 55(11): 137-140. DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.11.035 |
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| Authors: | FENG Yuan CHEN Xin SONG Ming-xuan ZHANG Tian |
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