| GaInP类异质结提升GaInP/GaInAs/Ge太阳电池效率的研究 |
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| 引用本文： | 高慧,杨瑞霞.GaInP类异质结提升GaInP/GaInAs/Ge太阳电池效率的研究[J].电源技术,2021,45(10):1324-1326. |
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| 作者姓名： | 高慧 杨瑞霞 |
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| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院,天津300401;中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300384;河北工业大学电子信息工程学院,天津300401 |
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| 摘 要： | 基于不同有序度的GalnP材料制备出高/低带隙的发射区/基区结构被称之为同材料类异质结结构,其产生的特殊能带结构可以提高太阳电池效率.通过生长条件的优化,验证了GaInP材料的有序度变小,材料带隙从优化前1.868 eV提高到1.898 eV.采用该工艺条件制造了具有对应有序度的GalnP材料,分别作为GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池顶子电池的发射区/基区.测试结果表明,与参照电池比较,新结构太阳电池光照电流电压(LIV)特性参数在电流密度方面获得了明显的提高.
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| 关 键 词： | GaInP 有序度 三结太阳电池 PN结 电流密度 |
Research on improvement of GaInP/GaInAs/Ge solar cell efficiency by GaInP heterojunction-like |
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| GAO Hui,YANG Ruixia.Research on improvement of GaInP/GaInAs/Ge solar cell efficiency by GaInP heterojunction-like[J].Chinese Journal of Power Sources,2021,45(10):1324-1326. |
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| Authors: | GAO Hui YANG Ruixia |
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| Keywords: | |
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