| 32nm CMOS工艺三点翻转自恢复锁存器设计 |
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| 引用本文： | 黄正峰,潘尚杰,曹剑飞,宋钛,欧阳一鸣,梁华国,倪天明,鲁迎春.32nm CMOS工艺三点翻转自恢复锁存器设计[J].电子学报,2021,49(2):394-400. |
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| 作者姓名： | 黄正峰 潘尚杰 曹剑飞 宋钛 欧阳一鸣 梁华国 倪天明 鲁迎春 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230601;合肥工业大学计算机与信息学院,安徽合肥230601;安徽工程大学电气工程学院,安徽芜湖241000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;安徽省自然科学基金 |
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| 摘 要： | CMOS工艺的特征尺寸不断缩减,电荷共享效应诱发的单粒子三点翻转成为研究热点.本文提出了一种单粒子三点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器:Hydra-DICE(Dual Interlocked Storage Cell).该锁存器基于24个同构的交叉耦合单元(Cross-Coupled Elements,CCE)排列成阵列结构.当内部任意三个节点同时发生单粒子翻转时,该锁存器都可以自行恢复到正确的逻辑值.与具有等效三点自恢复能力的TNURL(Triple Node Upset Self-Recoverable Latch)锁存器相比,该Hydra-DICE锁存器面积开销降低50％,延迟降低48.28％,功耗降低25％,功耗延迟积降低61.21％.仿真结果表明,该加固锁存器在容错性能、面积开销、延迟和功耗方面取得了很好的折中.
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| 关 键 词： | 锁存器 单粒子翻转 双模互锁存储单元 抗辐射加固 自恢复 |
Design of Triple-Node-Upset Self-Recovery Latch in 32 nm CMOS Technology |
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| HUANG Zheng-feng,PAN Shang-jie,CAO Jian-fei,SONG Tai,OUYANG Yi-ming,LIANG Hua-guo,NI Tian-ming,LU Ying-chun.Design of Triple-Node-Upset Self-Recovery Latch in 32 nm CMOS Technology[J].Acta Electronica Sinica,2021,49(2):394-400. |
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| Authors: | HUANG Zheng-feng PAN Shang-jie CAO Jian-fei SONG Tai OUYANG Yi-ming LIANG Hua-guo NI Tian-ming LU Ying-chun |
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