|
|||||
|
|
| 3.7—4.2低噪声GaAsFET放大器研制报告 | |
| 引用本文： | 孙建中,梁锦林.3.7—4.2低噪声GaAsFET放大器研制报告[J].桂林电子科技大学学报,1984(2). |
| 作者姓名： | 孙建中 梁锦林 |
| 作者单位： | 桂林电子工业学院8023班，电子工业部54所 |
| 摘 要： | 本放大器是为卫星通讯地面站研制的,用来作为前置低噪声放大。本文简述了 GaAsFET的结构和小信号等效电路,噪声模型分析,以及散射参数,给出了放大器的设计,调试方法,以及放大器的实测性能,其典型值为:增益 G=29dB,整机噪声温度 Ter 约为200°K左右,工作带宽 B=500MC,带内增益波动△G≤±0.75dB,1dB 增益压缩点的输出功率 put= 5.5dBm. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |