| 超薄基区SiGe HBT电流传输模型 |
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| 引用本文： | 李垚,孔德义,魏敬和,许居衍.超薄基区SiGe HBT电流传输模型[J].半导体学报,2000,21(1):97-101. |
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| 作者姓名： | 李垚 孔德义 魏敬和 许居衍 |
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| 作者单位： | 东南大学无锡应用科学与工程研究院!无锡214071 |
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| 摘 要： | 从玻尔兹曼方程出发，分析了ＳｉＧｅＨＢＴ超薄基区中载流子温度，扩散系数等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区ＳｉＧｅＨＢＴ电流传输模型．
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| 关 键 词： | HBT 电流传输 SiGe |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)01-0097-05 |
Base Transport Model for Ultra-Thin-Base SiGe HBT |
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| LI Yao,KONG De\|yi,WEI Jing\|he,XU Ju\|yan.Base Transport Model for Ultra-Thin-Base SiGe HBT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(1):97-101. |
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| Authors: | LI Yao KONG De\|yi WEI Jing\|he XU Ju\|yan |
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| Abstract: | According to the exact solution of Boltzmann equation,the characteristics of parameters such as carrier temperature and diffusion coefficient in ultra\|thin base of SiGe HBT are analyzed.And a new model of base transport in SiGe HBT different from traditional one is founded. |
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| Keywords: | HBT Transport SiGe |
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