| 氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒 |
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| 引用本文： | 吴玉新,薛成山,庄惠照,田德恒,刘亦安,孙莉莉,王福学,艾玉杰. 氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒[J]. 稀有金属材料与工程, 2006, 35(Z1): 129-132 |
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| 作者姓名： | 吴玉新 薛成山 庄惠照 田德恒 刘亦安 孙莉莉 王福学 艾玉杰 |
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| 作者单位： | 山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 氨化 氮化镓纳米棒 光致发光 |
| 文章编号： | 1002-185X(2006)S2-129-04 |
| 修稿时间： | 2005-10-09 |
Preparation of GaN Nanorods through Ammoniating Ga2O3/BN Films Deposited by Magnetron Sputtering |
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| Wu Yuxin,Xue Chengshan,Zhuang Huizhao,Tian Deheng,Liu Yi'an,Sun Lili,Wang Fuxue,Ai Yujie. Preparation of GaN Nanorods through Ammoniating Ga2O3/BN Films Deposited by Magnetron Sputtering[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2006, 35(Z1): 129-132 |
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| Authors: | Wu Yuxin Xue Chengshan Zhuang Huizhao Tian Deheng Liu Yi'an Sun Lili Wang Fuxue Ai Yujie |
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