短周期GaAs/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验 |
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引用本文: | 莫党,谭健华,陈宗圭,杨小平,张鹏华,张伟,陈良尧.短周期GaAs/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验[J].半导体学报,1995,16(10):730-735. |
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作者姓名: | 莫党 谭健华 陈宗圭 杨小平 张鹏华 张伟 陈良尧 |
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作者单位: | 中山大学物理系,半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究,复旦大学物理系 |
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摘 要: | 我们制备了M=2,4,6和10的一系列短周期(GaAs)M/(AlAs)M厂超晶格样品并测量了其椭偏光谱.对这些样品的光频介电函数港进行了分析,并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较上述理论计算是对M=4,6和10的超晶格样品作出的,并给出相应的介电函数谱曲线.在光子能量3.5~4.5eV范围的E1峰与瓦峰附近的实验谱的主要特征,与理论计算结果相一致实验谱中的E1峰比理论谱要强些,不同M值的超晶格样品之间的E1峰之差异也大于理论结果。
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关 键 词: | 砷化镓 砷化铝 超晶格 介电函数谱 光谱 |
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