采用高介电常数网络的6～12GHz中功率GaAsFET放大器的设计

在高介电常数的衬底材料上使用分布传输线技术,成功地研究和制作了4800μm(四个1200μm单胞)GaAs场效应晶体管放大器的输入和输出网络。本文叙述了输入和输出网络的设计和制作以及一个完成的6～12GHz4W放大器的性能。