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| High C-doping of MOVPE grown thin AlxGa1?xAs layers for AlGaAs/GaAs interband tunneling devices | |
| 摘 要： | |
| 收稿时间： | 26 April 1999 |
| 修稿时间： | 29 June 1999 |
| 本文献已被 SpringerLink 等数据库收录！ | |
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