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用于SAW器件的C轴择优取向LiNbO3薄膜的制备及结构研究
引用本文:杨保和,陈希明,赵捷,杨晓苹,徐晟,李明. 用于SAW器件的C轴择优取向LiNbO3薄膜的制备及结构研究[J]. 光电子.激光, 2006, 17(3): 261-264
作者姓名:杨保和  陈希明  赵捷  杨晓苹  徐晟  李明
作者单位:天津理工大学光电信息学院,天津,300191;天津理工大学光电信息学院,天津,300191;天津理工大学光电信息学院,天津,300191;天津理工大学光电信息学院,天津,300191;天津理工大学光电信息学院,天津,300191;天津理工大学光电信息学院,天津,300191
基金项目:中国科学院资助项目;天津市教委资助项目
摘    要:采用射频(RF)磁控溅射法在金刚石(111)衬底上沉积LiNbO3(LN)薄膜,借助X射线衍射技术(XRD),研究了外加偏压(0~80V)和衬底温度(200~500℃)等工艺参数对LiNbO3薄膜结构和取向性的影响。实验结果表明,在衬底温度为200℃、外加偏压为~80V的T艺条件下,LiNbO3的(006)衍射峰强度超过LN的(012)衍射峰强度,在金刚石(111)衬底上获得较高c轴取向的LN薄膜。并且对C轴择优取向LN薄膜的形成机理进行了探讨。

关 键 词:声表面波(SAW)  LiNbO3薄膜  金刚石  射频磁控溅射  择优取向
文章编号:1005-0086(2006)03-0261-04
收稿时间:2005-08-13
修稿时间:2005-08-13

Preparation and Structure of Higher C-axis Oriented LiNbO3 Thin Films for SAWD
YANG Bao-he,CHEN Xi-ming,ZHAO Jie,YANG Xiao-ping,XU Sheng,LI Ming. Preparation and Structure of Higher C-axis Oriented LiNbO3 Thin Films for SAWD[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2006, 17(3): 261-264
Authors:YANG Bao-he  CHEN Xi-ming  ZHAO Jie  YANG Xiao-ping  XU Sheng  LI Ming
Affiliation:School of Photoelectronics, Tianjin University of Technology, Tianjin, 300191, China
Abstract:
Keywords:surface-acoustic wave(SAW)  LiNbO_3 thin films  diamond  RF magnetron sputtering  preferential orientation  
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