| 二氧化钒薄膜在α-Al2O3衬底上的外延生长及其金属-半导体相变特性研究 |
| |
| 引用本文： | 吴召平,方平安. 二氧化钒薄膜在α-Al2O3衬底上的外延生长及其金属-半导体相变特性研究[J]. 无机材料学报, 1999, 14(5): 823-827 |
| |
| 作者姓名： | 吴召平 方平安 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050 |
| |
| 摘 要： | 利用ＸＲＤ及ＸＲＤ极图技术表征了用激光剥离技术生长的ＶＯ２薄膜。结果表明：在衬底温度为５００℃，氧气偏压６．６７Ｐａ的条件下，在α－Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上能实现ＶＯ２的二维外延生长。薄膜的结构除了与沉积工艺有关外，还和衬底的取向密切相关。
|
| 关 键 词： | 二氧化钒 相变 极图 外延生长 薄膜 半导体 衬底 |
| 收稿时间： | 1998-11-04 |
| 修稿时间： | 1999-03-24 |
Epitaxial Growth and Phase Transition Properties of Vanadium DioxideThin Film on Sapphire Substrate |
| |
| WU Zhao-Ping,FANG Ping-An. Epitaxial Growth and Phase Transition Properties of Vanadium DioxideThin Film on Sapphire Substrate[J]. Journal of Inorganic Materials, 1999, 14(5): 823-827 |
| |
| Authors: | WU Zhao-Ping FANG Ping-An |
| |
| Affiliation: | ShanghaiinstituteofCeramics;ChineseAcademyofSciencesShanghai200050China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | VO2 phase transition pole figure epitaxy |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《无机材料学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《无机材料学报》下载全文 |
