| 4×4热光SOI波导开关阵列 |
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| 引用本文： | 陈媛媛,李艳萍,余金中.4×4热光SOI波导开关阵列[J].光电子．激光,2009,20(3):283-285,289. |
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| 作者姓名： | 陈媛媛 李艳萍 余金中 |
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| 作者单位： | 陈媛媛,CHEN Yuan-yuan(北京工商大学信息工程学院,北京,100037;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083);李艳萍,LI Yan-ping(北京大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室,北京,100871;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083);余金中,YU Jin-zhong(中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083)
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 设计并制作了阻塞型和完全无阻塞型4×4热光SOI(silicon-on-insulator)波导开关阵列。开关单元采用了多模干涉耦合器(MMI)-MZI(Mach-Zehnder interferometer)结构的2×2光开关。阻塞型光开关附加损耗为4.8～5.4dB,串扰为-21.8dB～-14.5dB。完全无阻塞型光开关阵列附加损耗为6.6～9.6dB,串扰为-25.8～-16.8dB。两者的消光比都在17～25dB内变化,开关单元功耗小于230mW。器件的开关时间小于3μs。功耗和开关速度都明显优于SiO2基和聚合物基的开关阵列。
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| 关 键 词： | 开关阵列 热光 SOI |
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