| 具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件 |
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| 引用本文： | 徐秋霞,钱鹤,段晓峰,刘海华,王大海,韩郑生,刘明,陈宝钦,李海欧.具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件[J].半导体学报,2006,27(z1):283-290. |
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| 作者姓名： | 徐秋霞 钱鹤 段晓峰 刘海华 王大海 韩郑生 刘明 陈宝钦 李海欧 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029,中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.
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| 关 键 词： | 应变硅沟道 压应力 Ge预非晶化注入 等效氧化层厚度 栅长 CMOS 压应变 沟道 高性能 栅长 CMOS 器件 Channel Strained Device Gate Length Performance 自对准硅化物 环形振荡器 电路 分频器 技术优化 集成 分析表 会聚束电子衍射 大角度 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0283-08 |
| 修稿时间： | 2005年12月8日 |
High Performance Gate Length 22nm CMOS Device with Strained Channel and EOT 1.2nm |
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| Xu Qiuxia,Qian He,Duan Xiaofeng,Liu Haihua,Wang Dahai,Han Zhengsheng,Liu Ming,Chen Baoqin,Li Haiou.High Performance Gate Length 22nm CMOS Device with Strained Channel and EOT 1.2nm[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):283-290. |
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| Authors: | Xu Qiuxia Qian He Duan Xiaofeng Liu Haihua Wang Dahai Han Zhengsheng Liu Ming Chen Baoqin Li Haiou |
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