| 磁控溅射法制备PZFNT铁电薄膜的实验研究 |
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| 引用本文： | 彭家根,钟朝位,张树人,张万里. 磁控溅射法制备PZFNT铁电薄膜的实验研究[J]. 压电与声光, 2005, 27(4): 408-411 |
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| 作者姓名： | 彭家根 钟朝位 张树人 张万里 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900
2. 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家“九七三”重大基础研究基金资助项目（51310204） |
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| 摘 要： | 采用RF磁控溅射法在12．7cm的PZT／Pt／Ti／SiO2／Si基片上制备了PZFNT薄膜，后处理采用快速退火工艺，对不同退火温度的薄膜进行了分析。实验结果表明，采用PZT缓冲层对PZFNT薄膜的性能有显著的影响，可明显降低PZFNT薄膜的晶化温度，提高其介电和铁电性能。在优化工艺条件下，可获得介电常数和损耗分别为1328和3.1％，剩余极化和矫顽场分别为29．8℃／cm^2和46kV／cm的铁电薄膜，该薄膜可望在铁电存储器和热释电红外探测器中得到应用。
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| 关 键 词： | RF磁控溅射 退火 铁电 热释电 |
| 文章编号： | 1004-2474(2005)04-0408-04 |
| 收稿时间： | 2004-11-29 |
| 修稿时间： | 2004-11-29 |
Study on PZFNT Ferroelectric Thin Films by RF Magnetron Sputtering |
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| PENG Jia-gen,ZHONG Chao-wei,ZHANG Shu-ren,ZHANG Wan-li. Study on PZFNT Ferroelectric Thin Films by RF Magnetron Sputtering[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2005, 27(4): 408-411 |
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| Authors: | PENG Jia-gen ZHONG Chao-wei ZHANG Shu-ren ZHANG Wan-li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF magnetron sputtering annealing ferroelectric pyroelectric |
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