| 外延生长碳化硅-石墨烯薄膜的制备及表征研究 |
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| 引用本文： | 张学敏,张立国,钮应喜,鞠涛,李哲,范亚明,杨霏,张泽洪,张宝顺. 外延生长碳化硅-石墨烯薄膜的制备及表征研究[J]. 功能材料, 2015, 0(4): 4140-4143 |
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| 作者姓名： | 张学敏 张立国 钮应喜 鞠涛 李哲 范亚明 杨霏 张泽洪 张宝顺 |
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| 作者单位： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏 苏州,215125 |
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| 基金项目： | 中国科学院科研装备研制资助项目，国家电网科技资助项目 |
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| 摘 要： | 石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体,具有诸多优异的特性,从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最有效途径之一。利用感应加热的高温CVD设备,先在4H-Si C衬底上外延生长一层2~10μm厚的碳化硅,然后直接再在外延碳化硅上原位外延生长石墨烯。实现外延碳化硅-石墨烯的连续生长,从而减少氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面硅富集严重削减现象,并使低成本制备碳化硅上的石墨烯成为可能。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜及X射线光电子能谱等表征,验证了该方法生长的石墨烯具有较好的晶体质量。
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| 关 键 词： | 石墨烯 碳化硅 外延生长 晶体质量 |
Preparation and characterization of epitaxial SiC-graphene heterogeneous films |
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| ZHANG Xue-min,ZHANG Li-guo,NIU Ying-xi,JU Tao,LI Zhe,FAN Ya-ming,YANG Fei,ZHANG Ze-hong,ZHANG Bao-shun. Preparation and characterization of epitaxial SiC-graphene heterogeneous films[J]. Journal of Functional Materials, 2015, 0(4): 4140-4143 |
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| Authors: | ZHANG Xue-min ZHANG Li-guo NIU Ying-xi JU Tao LI Zhe FAN Ya-ming YANG Fei ZHANG Ze-hong ZHANG Bao-shun |
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| Affiliation: | ZHANG Xue-min;ZHANG Li-guo;NIU Ying-xi;JU Tao;LI Zhe;FAN Ya-ming;YANG Fei;ZHANG Ze-hong;ZHANG Bao-shun;Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics,Chinese Academy of Sciences; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | graphene silicon carbide epitaxial growth crystal quality |
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