| GaN1-xPx三元合金的MOCVD生长 |
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| 引用本文： | 陈敦军,毕朝霞,沈波,张开骁,顾书林,张荣,施毅,胡立群,郑有炓,孙学浩,万寿科,王占国. GaN1-xPx三元合金的MOCVD生长[J]. 半导体学报, 2002, 23(7): 782-784. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.07.022 |
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| 作者姓名： | 陈敦军 毕朝霞 沈波 张开骁 顾书林 张荣 施毅 胡立群 郑有炓 孙学浩 万寿科 王占国 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理系,南京,210093;2. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000683; |
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| 摘 要： | 用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P 组分的GaN1-xPx三元合金.俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1 -xPx中P的掺入量最高达到20%且分布均匀;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga-P键的存在.对不同P组分的GaN1-xPx样品进行了低温光致发光 (PL)测试,与来自GaN衬底的带边发射相比,随三元合金中P组分的变化,GaN1-x Px的PL峰呈现出了不同程度的红移.在GaN1-xPx的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰,表明该合金材料没有发生相分离.
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| 关 键 词： | GaN1-xPx MOCVD 化学态 红移 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)07-0782-03 |
| 修稿时间： | 2002-03-01 |
GaN1-xPx Ternary Alloy Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition |
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| Chen Dunjun ,Bi Zhaoxia ,Shen Bo ,Zhang Kaixiao ,Gu Shulin ,Zhang Rong ,Shi Yi ,Hu Liqun ,Zheng Youdou ,Sun Xuehao ,Wan Shouke and Wang Zhanguo. GaN1-xPx Ternary Alloy Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(7): 782-784. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.07.022 |
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| Authors: | Chen Dunjun Bi Zhaoxia Shen Bo Zhang Kaixiao Gu Shulin Zhang Rong Shi Yi Hu Liqun Zheng Youdou Sun Xuehao Wan Shouke Wang Zhanguo |
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| Affiliation: | Chen Dunjun 1,Bi Zhaoxia 1,Shen Bo 1,Zhang Kaixiao 1,Gu Shulin 1,Zhang Rong 1,Shi Yi 1,Hu Liqun 1,Zheng Youdou 1,Sun Xuehao 2,Wan Shouke 2 and Wang Zhanguo 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | in situ composite microstructure mechanical properties reinforcement mechanism |
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