| In-Ga共掺杂ZnO的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 闫小兵,史守山,郝华.In-Ga共掺杂ZnO的第一性原理计算[J].中国粉体技术,2014,20(5):33-36. |
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| 作者姓名： | 闫小兵 史守山 郝华 |
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| 作者单位： | 河北大学电子信息工程学院,河北保定,071002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，河北省自然科学基金，河北省高等学校科学研究项目ZH2012019，河北省保定市科学技术研究与发展计划，河北大学自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用基于密度泛函理论的第一性原理,研究本征ZnO、In和Ga分别单掺杂及In-Ga共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。结果表明:In掺杂的ZnO晶胞体积减小,Ga掺杂的ZnO晶胞体积增大,In-Ga共掺杂的ZnO晶胞体积增大是由掺入的Ga决定的;在ZnO禁带中引入杂质能级,禁带宽度变小,导电能力提高;In-Ga共掺杂后,ZnO吸收带边红移,在波长为302.3~766.8 nm的可见光范围内吸收减弱。
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| 关 键 词： | In-Ga共掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理 |
First-principles Calculation of In-Ga Co-doped ZnO |
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| YAN Xiaobing,SHI Shoushan,HAO Hua.First-principles Calculation of In-Ga Co-doped ZnO[J].China Powder Science and Technology,2014,20(5):33-36. |
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| Authors: | YAN Xiaobing SHI Shoushan HAO Hua |
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| Affiliation: | YAN Xiaobing;SHI Shoushan;HAO Hua;College of Electronic and Informational Engineering,Hebei University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | In-Ga co-doped electronic structure optical property first-principles |
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