| AlxGa0.51-xIn0.49P光学性质的研究 |
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| 引用本文： | 连洁,张淑芝,卢菲,魏爱俭,黄伯标,崔德良,秦晓燕,王海涛. AlxGa0.51-xIn0.49P光学性质的研究[J]. 半导体光电, 2000, 21(2): 111-114 |
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| 作者姓名： | 连洁 张淑芝 卢菲 魏爱俭 黄伯标 崔德良 秦晓燕 王海涛 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品.用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数,并求其介电函数的三级微商谱.用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0以及 Eg以上成对结构跃迁的能量位置,并对其结果加以分析.同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定.
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| 关 键 词： | AlGaInP 光学性质 砷化镓 光学性质 MOCVD |
| 修稿时间： | 1999-04-22 |
Study on Optical Properties of AlxGa0.51-xIn0.49P |
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| LIAN Jie,ZHANG Shu-zhi,LU Fei,WEI Ai-jian,HUANG Bo-biao,CHUI De-liang,QIN Xiao-yan,WANG Hai-tao. Study on Optical Properties of AlxGa0.51-xIn0.49P[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2000, 21(2): 111-114 |
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| Authors: | LIAN Jie ZHANG Shu-zhi LU Fei WEI Ai-jian HUANG Bo-biao CHUI De-liang QIN Xiao-yan WANG Hai-tao |
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