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| GAT型高速高压功率开关管最大集电极电流的仿真 | |
| 引用本文： | 王哲,亢宝位,吴郁,程序. GAT型高速高压功率开关管最大集电极电流的仿真[J]. 半导体学报, 2001, 22(6): 760-764 |
| 作者姓名： | 王哲 亢宝位 吴郁 程序 |
| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京100022 |
| 摘 要： | 针对目前 GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题提出一些新的结构改进设想 ,包括改变栅区掺杂浓度以及平面版图设计 ,并对此进行了仿真研究 .结果证明可将最大集电极电流提高到 2 .1倍 ,而对其他特性无明显不良影响 |
| 关 键 词： | 最大集电极电流 版图 扩散表面浓度 |
Simulation on Current Rating of GAT Type High-Speed High-Voltage Power Transistors |
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| Abstract: | |
| Keywords: | current rating layout diffused surface concentration |
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