| X波段砷化镓单片驱动功率放大器 |
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| 引用本文： | 张鲁川,蔺兰峰.X波段砷化镓单片驱动功率放大器[J].微电子学,2006,36(6):834-836. |
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| 作者姓名： | 张鲁川 蔺兰峰 |
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| 作者单位： | 1. 东南大学,集成电路学院,江苏,南京,210096
2. 南京电子器件研究所,江苏,南京,210016 |
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| 摘 要： | 介绍了X波段砷化镓单片驱动功率放大器的结构设计、CAD设计、工艺制作及测试结果。该放大器工作频率高、增益高,同时具有一定的输出功率,适用于各种应用环境。X波段砷化镓单片驱动功率放大器工作在8~10 GHz,典型输出功率≥20.5 dBm,功率增益≥19 dB,工作电流≤100 mA。
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| 关 键 词： | X波段 砷化镓 驱动功率放大器 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）06-0834-03 |
| 收稿时间： | 2006-03-06 |
| 修稿时间： | 2006-03-062006-05-19 |
An X-Band GaAs Driver Amplifier IC |
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| ZHANG Lu-chuan,LIN Lan-feng.An X-Band GaAs Driver Amplifier IC[J].Microelectronics,2006,36(6):834-836. |
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| Authors: | ZHANG Lu-chuan LIN Lan-feng |
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| Affiliation: | 1. College of ICs, Southeast Univ., Nanjing, Jiangsu 210096; 2. Nanjinig Elec. Dev. Insti, , Nanjing, Jiangsu 210016, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | X-band GaAs Driver amplifier |
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