| 多孔硅的有效场致发射 |
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| 引用本文： | 孙建刚.多孔硅的有效场致发射[J].半导体技术,2006,31(4):300-302,309. |
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| 作者姓名： | 孙建刚 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院,济南,250061 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目
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教育部科学技术研究项目 |
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| 摘 要： | 基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图(PS)薄膜.该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术(SEM),X射线衍射(XRD)以及原子力显微技术(AFM)描述.采用大约3.5V/μm的低通场在电流强度为0.1 μA/cm2处获得有效场致发射.在约12.5V/μm的叠加场下,PS薄膜的发射电流密度达到1mA/cm2.实验结果表明PS薄膜对平板显示仪器具有巨大的应用潜能.
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| 关 键 词： | 多孔硅 电子场发射 多孔硅薄膜 |
| 文章编号： | 1003-353X（2006）04-0300-03 |
| 收稿时间： | 2005-08-12 |
| 修稿时间： | 2005-08-12 |
Efficient Field Emission from Porous Silicon |
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| SUN Jian-gang.Efficient Field Emission from Porous Silicon[J].Semiconductor Technology,2006,31(4):300-302,309. |
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| Authors: | SUN Jian-gang |
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| Affiliation: | School of Physics and Micro Electron of Shandong University, Jinan 250061, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicont electron field emission PS films |
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