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| GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应 | |
| 作者姓名： | 向贤碧 杜文会 廖显伯 常秀兰 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京 100083,中国科学院半导体研究所表面物理国家实验室,北京 100083 |
| 摘 要： | 对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验.质子辐照的能量为325keV,辐照的剂量为5×1010-1×1013cm-2.实验结果表明,质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能的退化,其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显.退火实验结果表明,200℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复.此外,实验结果还指出,在GaAs太阳电池表面加盖一层0.5mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对GaAs太阳电池性能的损伤. |
| 关 键 词： | 质子辐照 热退火效应 太阳电池 砷化镓 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)06-0710-05 |
| 修稿时间： | 2000-03-17 |