| 康普顿背散射成像的蒙特卡罗模拟 |
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| 引用本文： | 曹军生,刘以农,倪建平. 康普顿背散射成像的蒙特卡罗模拟[J]. 核电子学与探测技术, 2003, 23(2): 155-158 |
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| 作者姓名： | 曹军生 刘以农 倪建平 |
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| 作者单位： | 清华大学工程物理系,北京,100084;清华大学工程物理系,北京,100084;清华大学工程物理系,北京,100084 |
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| 摘 要： | 康普顿背散射成像是利用康普顿效应判断被照射物体内部结构的方法，广泛应用于工业和医学诊断领域。介绍应用MCNP程序模拟康普顿背散城像的问题，计算了250keV电子轰击钨靶产生的X射线潜为源的X射线检测碳和铁的康普顿背散射光子角分布，得到这两种物质的不同散射特性。
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| 关 键 词： | 康普顿 蒙特卡罗 MCNP 背散射 |
| 文章编号： | 0258-0934(2003)02-0155-04 |
| 修稿时间： | 2002-02-06 |
The Monte Carlo simulation of Compton backscatter imaging |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Compton Monte Carlo MCNP backscatter |
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