首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

全方位离子注入及增强沉积工业机和应用
引用本文:童洪辉,陈庆川,霍岩峰,王珂,穆莉兰,冯铁民,赵军,严兵,耿漫.全方位离子注入及增强沉积工业机和应用[J].核技术,2002,25(9):684-689.
作者姓名:童洪辉  陈庆川  霍岩峰  王珂  穆莉兰  冯铁民  赵军  严兵  耿漫
作者单位:核工业西南物理研究院,成都,610041
摘    要:报道了等离子体源离子注入 (PSII)或等离子体浸没离子注入 (PIII)及增强沉积工业机的实验结果及应用。该机真空室直径 90 0mm ,高 10 5 0mm ,立式放置 ,抽气系统由分子泵及机械泵构成并且实现了PLC控制 ,本底真空小于 4× 10 - 4Pa。等离子体由热阴极放电或三个高效磁过滤式金属等离子体源产生 ,因此可实现全方位离子注入或增强沉积成膜。该机的负高压脉冲最高幅值为 80kV ,最大脉冲电流为 6 0A ,重复频率为 5 0— 5 0 0Hz ,脉冲上升沿小于 2 μs,并且可根据需要产生脉冲串。其等离子体密度约为 10 8— 10 10 ·cm- 3,膜沉积速率为 0 .1— 0 .5nm/s。

关 键 词:增强沉积工业机  全方位离子注入  金属等离子体源  表面改性  金属材料
修稿时间:2002年7月4日

Industrial plasma immersion ion implanter and its applications
TONG Honghui CHEN Qinchuan HUO Yanfeng WANG Ke MU Lilan,FENG Tiemin ZHAO Jun YAN Bing GENG Man.Industrial plasma immersion ion implanter and its applications[J].Nuclear Techniques,2002,25(9):684-689.
Authors:TONG Honghui CHEN Qinchuan HUO Yanfeng WANG Ke MU Lilan  FENG Tiemin ZHAO Jun YAN Bing GENG Man
Abstract:
Keywords:Plasma immersion ion implantation  Enhanced film deposition  Metal plasma source  Surface modification of material
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号