| 相移掩膜应用于显示技术光刻细线化的初步研究 |
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| 引用本文： | 黎午升,惠官宝,崔承镇,史大为,郭建,张家祥,薛建设.相移掩膜应用于显示技术光刻细线化的初步研究[J].光电子技术,2014,34(4). |
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| 作者姓名： | 黎午升 惠官宝 崔承镇 史大为 郭建 张家祥 薛建设 |
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| 作者单位： | 1. 京东方科技集团新技术研究院,北京,100176
2. 北京京东方光电科技有限公司,北京,100176 |
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| 摘 要： | 对基于不改造应用于显示技术的曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,两种相位移掩膜和传统掩膜下4μm/2μm等间隔线的光强分布。并根据设备参数模拟分析离焦量为15、30μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后实际比较测量了两种相位移掩膜在相同条件下各自曝光剂量范围和切面微观图。实验结果表明:自准直式边缘相移掩膜相比无铬相移掩膜在产能和良率方面更有优势。自准直式边缘相移掩膜更适合显示技术光刻细线化量产使用。
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| 关 键 词： | 自准直式边缘相移掩膜、无铬相移掩膜 等间隔线 模拟 曝光容限 分辨率 |
Preliminary Study on Improving Photolithographic Resolution of DisplayTechnology with Phase Shift Mask |
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| LI Wusheng,HUI Guanbao,CHOI Seungjin,SHI Dawei,GUO Jian,ZHANG Jiaxiang,XUE Jianshe.Preliminary Study on Improving Photolithographic Resolution of DisplayTechnology with Phase Shift Mask[J].Optoelectronic Technology,2014,34(4). |
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| Authors: | LI Wusheng HUI Guanbao CHOI Seungjin SHI Dawei GUO Jian ZHANG Jiaxiang XUE Jianshe |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | rim PSM single PSM equidistant lines simulation exposure margin resolution |
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