盐酸蒸气处理对酞菁氧钛薄膜的影响 |
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引用本文: | 季振国,许倩斐,等.盐酸蒸气处理对酞菁氧钛薄膜的影响[J].真空科学与技术,2002,22(2):94-96. |
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作者姓名: | 季振国 许倩斐 |
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作者单位: | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027 |
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摘 要: | 用HCl蒸气对真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜进行了处理,并用UV-Vis吸收谱、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)进行了分析,吸收谱结果表明HCl与酞菁氧钛蒸气作用后产生一个新的吸收峰,峰值位于820nm附近,此峰的出现使得酞菁氧钛光吸收带(Q带)加宽进入红外波段,光电子谱分析表明酞菁氧钛薄膜的成分发生了变化,其中Cl和O的含量随HCl蒸气处理的时间的增加而增加,而N和Ti的含量随HCl蒸气处理时间的增加而减小,说明HCl蒸气可与真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜发生作用。XRD测试结果表明,经HCl蒸气处理后的酞菁氧钛薄膜的衍射谱中出现了若干新的衍射峰,表明酞菁氧钛分子的排列结构也发生了变化。
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关 键 词: | 盐酸蒸气 处理 酞菁氧钛薄膜 吸收带增宽 真空蒸发沉积 发敏性 有机光导材料 XPS XRD |
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