多层异质结构GaAs/AlxGa1—xAs的TEM和AES的研究 |
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引用本文: | 范荣团,杨德全.多层异质结构GaAs/AlxGa1—xAs的TEM和AES的研究[J].电子显微学报,1990,9(3):194-194. |
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作者姓名: | 范荣团 杨德全 |
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作者单位: | 中国科学院电子学研究所中科院电镜实验室,航天部510所 |
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摘 要: | GaAs/Al_xGa_(1-x)As多层异质结构材料是微波器件、负电子束和如热光电发射体和及其器件、激光器件等新型光电子器件、光电子集成和集成线路的新型半导体材料。对GaAs/Al_xGa_(1-x)As多层异质结构材料的研究,使我们获得了这种高性能新型材料缺陷、界面和横截面的显微结构的信息。在我们的研究中,应用了TEM·AES和SIMS。从TEM的照片之一可见GaAs/Al_xGa_(1-x)As层间界面清晰(图1)。有的也存在缺陷。从AES·SIMS和EM的EDS曲线(图2)显示了这种材料表面,界面的成分分布。TEM照片和AES剖面深度曲线显示了界面的有关特性。从而可以由以上数据和信息来评价材料的有关特性,甚至材料的沉积工艺。这为器件对材料的选择和评价提供了科学的、数量化的信息。
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关 键 词: | 异质结构 GaAs/AlGaAs TEM AES |
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