| 对称薄膜双栅nMOSFET模型的研究 |
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| 引用本文： | 叶晖,李伟华.对称薄膜双栅nMOSFET模型的研究[J].微电子学,2002,32(6):419-422. |
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| 作者姓名： | 叶晖 李伟华 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心,江苏,南京,210096 |
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| 摘 要： | 利用对称薄膜双栅MOSFET在阈值电压附近硅膜中的常电位近似,以硅膜达到体反型时的泊松方程为基础,得到一个有效的双栅nMOS器件模型.考虑到薄膜双栅SOI器件的体反型特性,阈值电压处的表面势不再受限于传统的强反型界限(指2倍费米势),并运用跨导最大变化(TC)法对此模型进行分析,得到阈值电压和阈值电压处表面势的详细表达式;另外,还演示了薄膜双栅MOSFET的近乎完美的亚阈值斜率特性,其数值模拟结果与文献实验结果吻合较好.
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| 关 键 词： | 薄膜双栅 MOSFET 器件模型 跨导最大变化法 强反型界限 |
| 文章编号： | 1004-3365(2002)06-0419-04 |
| 修稿时间： | 2001年12月19 |
Modeling of Symmetric Thin-Film Double-Gate nMOSFET's |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Thin-film double-gate MOSFET Model device Maximum transconductance change method Strong inversion limit |
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