北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)束流注入区辐射场研究 |
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引用本文: | 阎明洋,吴青彪,丁亚东,赵晓岩,张清江,李楠,马忠剑.北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)束流注入区辐射场研究[J].辐射防护,2017,37(1):12-17. |
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作者姓名: | 阎明洋 吴青彪 丁亚东 赵晓岩 张清江 李楠 马忠剑 |
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作者单位: | 中国科学院高能物理研究所,北京 100049 |
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摘 要: | 北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)正负电子束流注入阶段的束流损失,影响储存环束流注入区及防护区辐射场。本文利用束流损失监测系统(BLM系统)分析了束流注入阶段注入区束流损失的位置和束流损失率,并结合FLUKA软件模拟计算对撞实验模式下束流注入阶段注入区的辐射场。结果表明:注入阶段注入区及其下游束流损失明显;辐射场内粒子能谱情况是中子为宽能谱且各向同性,切割磁铁 (铁靶)出射蒸发谱峰窄,峰值约为0.9 MeV,直接发射谱不显著;真空管(铝靶)出射蒸发谱峰宽且直接发射谱显著,峰值分别为4 MeV和20 MeV;光子能谱峰窄且前向性明显,能量在5 MeV以下分布集中;中子与光子剂量率水平相当;注入阶段比非注入阶段剂量率高约2个数量级;对撞实验模式下,实验测量整个运行阶段储存环光子剂量率平均水平约为1 000 μSv/h,中子剂量率比光子剂量率低1个数量级。
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关 键 词: | BEPCⅡ 注入区 束流损失 中子 光子 FLUKA |
收稿时间: | 2015-12-25 |
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