| 基体偏压对中频磁控溅射沉积DLC膜结构的影响 |
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| 引用本文： | 姜辉,代海洋.基体偏压对中频磁控溅射沉积DLC膜结构的影响[J].真空,2008,45(6). |
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| 作者姓名： | 姜辉 代海洋 |
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| 摘 要： | 利用中频非平衡磁控溅射技术,以氩气和甲烷混合气体为工作气体,在载玻片和单品硅片上沉积含氢的类金刚石簿膜.改变加载在基体上的负偏压,在0～400 V范围内,制备5种偏压值下的薄膜,研究偏压对薄膜结构的影响.用光学显微镜和AFM考察薄膜的光学形貌;激光Raman谱定性分析膜的化学组分;VFIR分析其C-H键合类型;纳米压痕法测量膜的硬度.结果表明:当基体上施加偏压-100 V时,可以有效地提高沉积粒子与基体结合力以及溥膜的致密性,薄膜中正四面体的sp3结构和sp3CHn含最增加,纳米硬度提高.
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| 关 键 词： | 含氢类金刚石薄膜 中频 偏压 |
Effect of substrate bias on structure of DLC thin films deposited by MF magnetron sputtering |
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| JIANG Hui,DAI Hai-yang.Effect of substrate bias on structure of DLC thin films deposited by MF magnetron sputtering[J].Vacuum,2008,45(6). |
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| Authors: | JIANG Hui DAI Hai-yang |
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