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溅射沉积Cu/W纳米多层膜结构与性能
引用本文:郭中正,孙 勇,段永华,彭明军,吴大平,朱雪婷. 溅射沉积Cu/W纳米多层膜结构与性能[J]. 稀有金属材料与工程, 2014, 43(4): 906-910
作者姓名:郭中正  孙 勇  段永华  彭明军  吴大平  朱雪婷
作者单位:昆明理工大学 稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室,云南 昆明 650093
基金项目:国家高技术研究发展计划“863”资助项目(2009AA03Z512);国家自然科学基金(51201079);稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室开放研究项目(ZDS2010012B)
摘    要:以单晶硅和聚酰亚胺为衬底,用磁控溅射沉积调制周期λ=25~150 nm、调制比η=0.5~2的Cu/W纳米多层膜,用XRD、SEM、EDS、AFM、微力测试系统、纳米压痕仪和四探针法对多层膜微观结构、表面形貌和力学及电学性能进行研究。结果表明:λ和η显著影响多层膜结构和性能。多层膜Cu层和W层均为纳米晶结构,分别呈Cu(111)和W(110)择优取向。W(110)晶面间距减小且减幅与1/λ或η值呈正相关,Cu/W层间界面处存在扩散混合层。表面Cu层晶粒尺寸随Cu层厚增加而增大。裂纹萌生临界应变εc总体上随λ增大或η减小而下降,屈服强度σ0.2、显微硬度H和电阻率ρ总体上均与λ或η呈负相关。因Cu层和W层厚度随λ或η的变化而改变,相应地改变了Cu层晶粒度及其晶界密度、W层体积分数和Cu/W层间界面数量,使位错运动能力及电子散射效应变化,最终改变Cu/W纳米多层膜性能。

关 键 词:Cu/W纳米多层膜  调制周期  调制比  屈服强度  电阻率

Structures and Properties of Cu/W Nanostructured Multilayers Deposited by Sputtering
Guo Zhongzheng,Sun Yong,Duan Yonghu,Peng Mingjun,Wu Daping and Zhu Xueting. Structures and Properties of Cu/W Nanostructured Multilayers Deposited by Sputtering[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2014, 43(4): 906-910
Authors:Guo Zhongzheng  Sun Yong  Duan Yonghu  Peng Mingjun  Wu Daping  Zhu Xueting
Affiliation:Key Laboratory of Advanced Materials in Rare & Precious and Non-ferrous Metals, Ministry of Education, Kunming University of Science and Technology, Kunming 650093, China
Abstract:
Keywords:Cu/W nanostructured multilayers   modulation period   modulation ratio   yield strength   electrical resistivity
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