| 用于HBT的SiGe合金材料层的腐蚀工艺研究 |
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| 引用本文： | 欧益宏,刘道广,李开成.用于HBT的SiGe合金材料层的腐蚀工艺研究[J].微电子学,2000,30(2):76-78. |
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| 作者姓名： | 欧益宏 刘道广 李开成 |
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| 作者单位： | 1. 信息产业部电子第二十四研究所,重庆,400060
2. 模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 探索利用反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀Si1-xGex合金材料的工艺条件.对两种腐蚀方法的利弊进行了对比,找出腐蚀Si1-xGex合金材料的实用化途径,并且解决了不同Ge含量的Si1-xGex合金材料的腐蚀速度控制.
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| 关 键 词： | 硅－锗合金 反应离子刻蚀 异质结 双极晶体管 |
| 文章编号： | 1004-3365(2000)02-0076-03 |
| 修稿时间： | 1999年11月10 |
Etching of SiGe alloys used for HBT's |
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| OU Yi-hong,LIU Dao-guang,LI Kai-cheng.Etching of SiGe alloys used for HBT's[J].Microelectronics,2000,30(2):76-78. |
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| Authors: | OU Yi-hong LIU Dao-guang LI Kai-cheng |
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| Abstract: | The process conditions of reactive ion etching(RIE) and wet etching of Si 1-x Ge x alloys are discussed.By comparing the two etching techniques,a practical approach to etching Si 1-x Ge x alloys has been found.And the control of etching rates for Si 1-x Ge x alloy with different Ge content has been realized. |
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| Keywords: | SiGe alloy HBT Reactive ion etching Molecular beam epitaxy |
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