| ZnSe单晶的气相生长及光学性质 |
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| 引用本文： | 李焕勇,介万奇. ZnSe单晶的气相生长及光学性质[J]. 功能材料, 2003, 34(5): 567-569,572 |
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| 作者姓名： | 李焕勇 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年基金资助项目(59825109) |
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| 摘 要： | 用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001～1020℃,管内温差<4℃。经过两周生长,得到8mm×7mm×0.8mm的绿色ZnSe晶体。XRD表明晶体表面为(111)面;受气固界面形貌影响,双晶衍射半高峰宽为50s;PL谱由DPA和SA两个发光峰组成;并研究了晶体片的吸收光谱、荧光光谱、反射光谱和红外透过等光学性质。
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| 关 键 词： | 化学气相输运 光学性质 输运剂 ZnSe单晶 气相生长 |
| 文章编号： | 1001-9731(2003)05-0567-03 |
Vapor growth and optical characterization of ZnSe single crystal |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CVT optical properties Zn(NH_4)_3Cl_5 ZnSe single crystals |
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