| 新型GaAs／GaAlAs非对称量子阱红外光电导探测器 |
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| 引用本文： | 史衍丽,邓军,杜金玉,沈光地,尹洁.新型GaAs／GaAlAs非对称量子阱红外光电导探测器[J].红外与毫米波学报,2000,19(4):269-272. |
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| 作者姓名： | 史衍丽 邓军 杜金玉 沈光地 尹洁 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学,北京市光电子技术实验室,北京,100022
2. 华北光电技术研究所,北京,100015 |
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| 摘 要： | 提出一种新型GaAs/GaAlAs子带间光吸收的红外光电导探测机理,利用MOCVD系统进行器件材料的生长,研制了200μm×200μm的台面形式单管,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象,对器件的性能测试结果表明,器件的光电流响应和信噪比随着阱数增加而增加,器件噪声比常规GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器低一个数量级.
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| 关 键 词： | GaAlAs 非对称量子阱 红外探测器 砷化镓 |
A NEW TYPE OF ASYMMETRICAL GaAs/GaAlAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTOCONDUCTOR |
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| SHI Yan-Li,DENG Jun,DU Jin-Yu,SHEN Guang-Di,YIN Jie.A NEW TYPE OF ASYMMETRICAL GaAs/GaAlAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTOCONDUCTOR[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2000,19(4):269-272. |
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| Authors: | SHI Yan-Li DENG Jun DU Jin-Yu SHEN Guang-Di YIN Jie |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | asymmetrical GaAs/GaAlAs quantum well infrared detectors negative conductance oscillation photocurrent signal to noise ratio |
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