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工艺参数对AgInSbTe薄膜性能的影响
引用本文:李进延,侯立松,干福熹. 工艺参数对AgInSbTe薄膜性能的影响[J]. 材料研究学报, 2001, 15(5): 553-558
作者姓名:李进延  侯立松  干福熹
作者单位:1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海市,201800
2. 中国科学院上海光学精密机械研究所
基金项目:国家自然科学基金重点项目 59832060.
摘    要:采用射频磁控溅射工艺,在 Kg玻璃基片上用 Ag-In-Sb-Te合金靶制备了 Ag_δIn_(14)Sb_(55)Te_(23) 相变薄膜,将沉积态薄膜在300℃进行了热处理.测量了薄膜的光学性质和静态存储性能,研究了 溅射气压和功率对薄膜光学性质和静态存储性能的影响.结果表明,适当的溅射气压和溅射功率可使 Ag_δIn_(14)Sb_(55)Te_(23)相变薄膜具有较大的反射率对比度,从而提高其存储性能.

关 键 词:射频磁控溅射  Ag_8In_(14)Sb_(55)Te_(23)相变薄膜  反射率对比度
文章编号:1005-3093(2001)05-0553-06
修稿时间:2000-07-24

EFFECTS OF SPUTTERING TECHNICAL PARAMETERS ON THE OPTICAL PROPERTIES OF Ag-In-Sb-Te PHASE-CHANGE FILMS
LI Jinyan,HOU Lisong,GAN Fuxi. EFFECTS OF SPUTTERING TECHNICAL PARAMETERS ON THE OPTICAL PROPERTIES OF Ag-In-Sb-Te PHASE-CHANGE FILMS[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2001, 15(5): 553-558
Authors:LI Jinyan  HOU Lisong  GAN Fuxi
Abstract:
Keywords:RF magnetron sputtering   AgInSbTe phase-change films   reflectivity contrast
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