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| 自显影光致抗蚀剂 | |
| 作者姓名： | 辛易 |
| 摘 要： | 美国桑迪亚国家实验室开发了一种自显影光致抗蚀剂——聚硅烷共聚物。该共聚物在紫外线(波长2,500■)下光解和挥发。当在表面上涂敷聚硅烷膜,并用紫外线照射膜上的图案时,膜的遮光部分保留,曝光部分除去,得到正图像。使用它可简便而迅速地生产亚微米线宽和更高解像率的超大规模集成电路。聚硅烷抗蚀剂的热稳定性、化学稳 |
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