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| CoSi_2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅极材料 | |
| 引用本文： | 金高龙,陈维德,许振嘉.CoSi_2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅极材料[J].半导体学报,1994,15(8):518-523. |
| 作者姓名： | 金高龙 陈维德 许振嘉 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文选用了Ｃｏ／Ｓｉ／ＧａＡｓ结构作为研究对象，经６００℃恒温退火及８００℃快速退火处理后，分别在ＧａＡｓ衬底上形成Ｃｏｓｉ２／ＧａＡｓＳｃｈｏｔｔｋｙ接触．采用多种薄膜和界面的测试技术，对ＣｏＳｉ２：／ＧａＡｓ的薄膜及界面特性进行了细致的研究．结果表明：热退大处理后，Ｃｏ／Ｓｉ经化学反应形成了较均匀的ＣｏＳｉ２单相，其薄膜电阻率约为３０μΩｃｍ．即使经９００℃的快速返火处理后，ＧａＡｓ界面仍保持相当的完整性，同时薄膜形貌也很理想．此外，采用Ｉ－Ｖ电学测试法对经７５０℃恒温退火处理后形成的ＣｏＳｉ２／Ｇａ |
| 关 键 词： | MESFET 砷化镓 CoSi2 栅极 材料 |
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