| 快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究 |
| |
| 引用本文： | 王永顺,熊大菁,李志坚. 快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究[J]. 半导体学报, 1990, 11(8): 627-634 |
| |
| 作者姓名： | 王永顺 熊大菁 李志坚 |
| |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 北京(王永顺，熊大菁)，清华大学微电子学研究所 北京(李志坚) |
| |
| 摘 要： | 本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,RTN SiO_2膜具有许多明显的优点,在同样条件下,当电场强度E≈1.5×10~7V/cm时,击穿时间t_(bd)比SiO_2的约高两个量级;在经过剂量高达10~7rad的Co~(60)辐照后,SiO_2膜的界面态密度及漏电流均增大1—2个量级,而RTN SiO_2膜的变化非常小。
|
| 关 键 词： | SiO2膜 热氮化 电子陷阱 击穿时间 |
Study on Characteristics of Ultra-thin RTN SiO_2 Films |
| |
| Wang Yongshun/Institute of Microelectronics,Qinghua UniveristyXiong Daqing/Institute of Microelectronics,Qinghua UniveristyLi Zhijian/Institute of Microelectronics,Qinghua Univeristy. Study on Characteristics of Ultra-thin RTN SiO_2 Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 627-634 |
| |
| Authors: | Wang Yongshun/Institute of Microelectronics Qinghua UniveristyXiong Daqing/Institute of Microelectronics Qinghua UniveristyLi Zhijian/Institute of Microelectronics Qinghua Univeristy |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Rapid thermal nitridation Electron trap High electic field Breakdown time Density of interface state irradiation |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
