| Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究 |
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| 引用本文： | 杨保华,王占国,万寿科,龚秀英,林兰英.Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究[J].半导体学报,1990,11(10):738-745. |
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| 作者姓名： | 杨保华 王占国 万寿科 龚秀英 林兰英 |
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| 作者单位： | 中科院半导体研究所 北京
(杨保华，王占国，万寿科，龚秀英)，中科院半导体研究所 北京(林兰英) |
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| 摘 要： | 在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致发光研究了材料的光学性质,观察到了类GaSb的LO模和类AlSb的LO模以及LO声子与等离子激元的耦合模L_-;对x=0.2,y=0.025的样品,由低温到室温的变温光致发光测量确定的禁带宽度的温度系数为-3.2×10~(-4)eV/K。此外对于晶格失配,P型的原因以及PL谱峰的展宽等问题进行了讨论。
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| 关 键 词： | LPE 化合物光导体 晶格匹配 |
LPE Growth and Characterization of AlGaAsSb Epilayers |
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| Yang Baohua/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing
Wang Zhanguo/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing
Wan Shouke/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing
Gong Xiuying/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing
Lin Lanying/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing.LPE Growth and Characterization of AlGaAsSb Epilayers[J].Chinese Journal of Semiconductors,1990,11(10):738-745. |
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| Authors: | Yang Baohua/Institute of Semiconductors Academia Sinica Beijing
Wang Zhanguo/Institute of Semiconductors Academia Sinica Beijing
Wan Shouke/Institute of Semiconductors Academia Sinica Beijing
Gong Xiuying/Institute of Semiconductors Academia Sinica Beijing
Lin Lanying/Institute of Semiconductors Academia Sinica Beijing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LPE AlGaAsSb/GaSb Lattice mismatch Raman scattering Photoluminescence |
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