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| 快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管 | |
| 作者姓名： | 赵蔚 张玉书 石家纬 金恩顺 高鼎三 |
| 作者单位： | 吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系 长春 东北师范大学电化教育系(长春)，长春，长春，长春，长春 |
| 摘 要： | 本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。 |
| 关 键 词： | 发光二极管 台面型 InGaAsP／InP |
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