| 调制掺杂场效应管的电容和伏-安特性 |
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| 引用本文： | 邓生贵. 调制掺杂场效应管的电容和伏-安特性[J]. 半导体学报, 1990, 11(7): 521-526 |
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| 作者姓名： | 邓生贵 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体所 北京 |
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| 摘 要： | 本文考虑了费米能级随栅电压的变化,得到调制掺杂场效应管的栅极与沟道的实际距离增大90A左右,从而引起栅极电容和跨导的明显减少;又用热电子模型推导了调制掺杂场效应管的伏-安特性,得到的结果为其它文献所证实。
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| 关 键 词： | 调制掺杂 场效应管 电容 伏安特性 |
Current-Voltage and Capacitance Characteristics of Modulation-Doped Field Effect Transistors |
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| Deng Shenggui/Institute of Scmiconductors,Academia Sinica. Current-Voltage and Capacitance Characteristics of Modulation-Doped Field Effect Transistors[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1990, 11(7): 521-526 |
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| Authors: | Deng Shenggui/Institute of Scmiconductors Academia Sinica |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MODFET capacitance output characteristic |
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