用于注入后光阻全湿法去除的注入蒸汽的SPM工艺 |
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摘 要: | 在集成电路制造中随着光阻层数的增加和可允许的材料损失和表面损伤数的下降,光阻剥离变得越来越具有挑战性。由于光阻表面的去氢化和无定型碳层的形成,高剂量注入的光阻剥离尤其变得困难。为了使注入后光阻剥离变得容易,这层无定形碳可以采取物理的攻击例如干法灰化中的离子轰击。然而,这些物理攻击方法容易导致表面损伤和增加材料的损失。
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关 键 词: | 光阻 PM工艺 全湿法 蒸汽 表面损伤 集成电路制造 攻击方法 离子轰击 |
F.C.Chang,S.Tanawade,Rajiv Singh Dept.of Materials Science and Engineering and Particle Engineering Research Center,University of Florida |
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